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Si4808DY
Vishay Siliconix
MOSFET TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
20
10
1
T J = 150 °C
T J = 25 °C
0.04
0.03
0.02
0.01
0.00
I D = 7.5 A
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
2
4
6
8
10
0.4
0.2
V SD - Source-to-Drain Voltage (V)
Source-Drain Diode Forward Voltage
50
40
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
I D = 250 μA
0.0
30
- 0.2
20
- 0.4
- 0.6
- 0.8
10
0
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
10 -3
10 -2
10 -1
1
10
100
600
T J - Temperature (°C)
Threshold Voltage
Time (s)
Single Pulse Power
2
1
Duty Cycle = 0.5
0.2
Notes:
t 2
0.1
0.01
0.1
0.05
0.02
Single Pulse
P DM
t 1
t 1
1. Duty Cycle, D =
t 2
2. Per Unit Base = R thJA = 93 °C/W
3. T JM - T A = P DM Z thJA(t)
4. Surface Mounted
10 -4
10 -3
10 -2
10 -1
1
10
100
600
Square Wave Pulse Duration (s)
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Ambient
www.vishay.com
4
Document Number: 71157
S09-0867-Rev. C, 18-May-09
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